技术编号：7002061
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种。背景技术在注入存储器之类的半导体器件的制造过程中，很多情况下，会需要制造电阻器结构。通常在制造工艺过程中，硅化物阻止层(salicide block layer, SAB)采用来保护硅片表面，在其保护下，硅片不与其它Ti，Co之类的金属形成不期望的硅化物(salicide)。 然而，硅化物阻止层的引入增大了工艺的复杂性，并且增大了制造成本。因此，希望能够提出一种能够简化电阻器结构制造过程的技术方案。发明...
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