技术编号:7002299
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件领域,尤其涉及关于MOS器件栅的形成方法来记忆浅槽隔离区(Shallow Trench Isolation,缩写为STI)引入到半导体场效应管(MOSFET)沟道区的应力。背景技术半导体集成电路自诞生以来,一直按照摩尔定律飞速的发展,器件的特征尺寸已经进入到纳米数量级,随之而来的短沟道效应限制了器件性能的进一步提高。采用应变硅技术可以通过提高半导体器件的载流子迁移率来提高器件的电流驱动能力,而且与现有的工艺技术有良好的兼容性。在应变硅技...
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