技术编号:7002309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体传感器领域,具体涉及一种。背景技术半导体辐射敏感装置在核实验、空间探测、防生化、能谱分析等领域有广泛的应用;其主要包括面垒型敏感装置、结型敏感装置、硅漂移敏感装置(Silicon Drift Detector, SDD)等。面垒型敏感装置一般采用N型单晶硅片,并将金沉积在上面制成,故也常称为金硅面垒型敏感装置。它是利用金和半导体之间接触电势差,在半导体中形成没有自由载流子的耗尽层,即是敏感装置的灵敏区。结型敏感装置,如PIN型敏感装置结构类...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。