技术编号:7003601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体的制造领域,尤其涉及。背景技术随着半导体结构制造技术的发展,具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度,而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小(目前已经可以达到纳米级),随着半导体器件尺寸的缩小,各种微观效应凸显出来,为适应器件发展的需要,本领域技术人员一直在积极探索新的制造工艺。场效应晶体管中保持性能的重要因素是载流子迁移率,在通过非常薄的栅介质来与沟道隔离的栅极上施加的电压的情况下,载流子迁移率可...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。