技术编号:7003791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作一感光二极管(photodiode)的光感测区的方法,尤其涉及一种对短波长光具有较佳感测灵敏度的感光二极管的光感测区的制作方法。典型的CMOS影像传感器包含有一个感光二极管,用来感测光照的强度,以及三个金属氧化半导体(metal-oxide semiconductor,MOS)晶体管,分别用来作为重置组件(reset MOS)、电流汲取组件(current source follower)以及列选择开关(row selector)。其中感...
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