技术编号:7004072
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。更加具体来说,本发明涉及一种通过俘获存储由形成在半导体基片和栅极之间的栅绝缘膜中的电子而存储信息的非易失半导体存储器,以及制造这种非易失半导体存储器的方法。背景技术 现在存在有这样的非易失半导体存储器,其通过在具有电荷俘获能力的绝缘膜中局部的俘获电子而执行信息读取和写入。在最近几年,已经从常规的非易失半导体存储器开发出在每个存储单元中存储两位信息的非易失半导体存储器。图23A和23B示出一种常规的非易失半导体存储器的一个例子。图23A为在写入操...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。