技术编号:7005001
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,并且更加特别地涉及具有优秀的反向特性的。背景技术近年来,已经发展了高压半导体元件的使用。通常,在高压半导体元件中,环形 EQR(等电位环)电极形成为围绕其中排列有单元的有源区。如果保持EQR电极的漏电势, 那么抑制了朝着单元区域的外部的耗尽层的扩展。耗尽层的扩展得到抑制的机构通常被称为“沟道截断结构”。在获得优秀的反向特性方面,沟道截断机构是非常重要的。在现有技术的高压半导体元件中,EQR电极包括两个部分,这两个部分包括EQR电极形成在层间...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。