技术编号：7005597
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体发光材料制备，具体涉及一种利用等离子体浸没离子注入技术制备P型ZnO薄膜的方法。背景技术光电子科学技术及其产业近年来发展迅猛，作为光电产业的基础和先导，半导体光电材料是该领域的研发重点，而对新型半导体发光材料的探索则是半导体光电材料发展的源动力。在新型半导体发光材料中，目前最受关注的就是氧化锌(ZnO)。ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体，室温下的禁带宽度为3. 37eV,尤其是它的激子结合能高达60mV，是目前唯一一种可能在室温泵浦条件下实...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。