技术编号:7006086
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及相变信息存储领域,是一种。该铝铜锑相变薄膜可用于高密度、高速可擦重写相变光盘和相变随机存储器等,可用来提高介质的相变速率,进而提高器件的数据传输速率。背景技术相变信息存储的基本概念最初由S. R. Ovshinsky在1968年提出(S. R. Ovshinsky, Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures, Phys. Rev. Lett. 21,145...
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