技术编号：7006366
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别是一种铜金属互连中铜合金工艺的改进方法。背景技术随着半导体器件尺寸的不断减小，半导体器件中驱动电流的密度和开关频率不断增大。在高电流密度和高频率变化的铜互连结构上，很容易发生电迁移(ElectroMigration, EM)。众所周知，电迁移是影响铜互连结构的可靠性的重要因素之一，电迁移可能导致铜互连结构减薄，并使其电阻率增大，更严重的还可能使铜互连结构断裂。为此，现有方法通常是在铜互连结构中掺杂杂质，例如铝、银、钛或锰等，在退火过程中...
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