技术编号:7006686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及。 背景技术现有存储器(比如闪存)一般还包括多晶硅-多晶硅-衬底(PPS, poly-poly-substrate)电容器,所述PPS电容器的三个电极分别为控制栅多晶硅、浮栅多晶硅以及半导体衬底,因为所述PPS电容器的电容值是以控制栅多晶硅和浮栅多晶硅为两个电极的电容器的电容值,以及以浮栅多晶硅和半导体衬底为两个电极的电容器的电容值之和,所以所述PPS电容器的电容值比较大。目前,存储器的形成方法包括如图1所示,提供半导体衬底1...
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