技术编号:7006797
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的结构,且特别涉及电力控制用半导体装置的外围结构。 背景技术绝缘栅双极型晶体管ansulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)等电力控制用半导体装置(功率半导体器件)广泛应用于从民生设备到电力铁路用途。通常,随着IGBT 的低损耗化的推进,以安全操作区(SOA =Safe Operating Area)为指标表示的半导体装置的承受性能下降。SOA例如为反向偏置安全操作区(RBS0AReverse Bias...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。