技术编号:7006808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种。背景技术非易失性存储器在当前的存储领域中占有极其重要的地位。在各类非易失性存储器中,基于浮栅晶体管的闪存技术,广泛应用于计算机及存储卡。图1示意性示出了一种用于闪存的浮栅场效应晶体管。该晶体管包括源区5、漏区5、体3以及顶栅,顶栅由浮栅2和多晶硅控制栅1构成,浮栅2与多晶硅控制栅1之间有栅极电介质层4,浮栅2与体3之间也有栅极电介质层4。发明内容根据本发明的第一方面,提供了一种浮栅场效应晶体管,该晶体管自下而上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。