技术编号：7008500
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种硅衬底表面的陷光结构，由在硅衬底表面经过制绒的单晶硅层和在制绒大金字塔上的纳米级尺寸的小金字塔形貌ZnO层构成，ZnO层的厚度为300-1000nm，陷光结构对400-1100nm波长的平均光反射率小于10%；其制备方法，首先在硅衬底表面利用氢氧化钠、异丙醇和硅酸钠进行制绒，然后用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合液中试剂进行平滑处理，最后利用MOCVD工艺在制绒硅片沉积具有纳米级尺寸的金字塔，可用于以单晶硅为衬底的HIT电池。本发明的优点是该硅衬底表面的陷光结...
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