技术编号:7008672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,揭示于本文的方法包括提供包含晶体管的半导体结构,该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体。执行湿蚀刻制程。该湿蚀刻制程移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分。该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。专利说明[0001]本揭示内容大体有关于集成电路的领域,且更特别的是,有关于包含氮化硅的材料的选择性蚀刻。背景技术[0002]集成电路通常包含许多电路组件,特别是,包括数个场效晶体管。在场效晶体管中,栅极电极可用栅极绝缘...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。