技术编号:7008711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,该制造方法包括以下步骤提供一半导体基材,该半导体基材具有多个深沟槽;在该半导体基材上形成多个绝缘结构,每一个绝缘结构具有一隔离部和一突出部,该隔离部位于深沟槽内,该突出部位于隔离部上且突出部的溢出部分覆盖半导体基材,且相邻的两个突出部之间定义出一位元线区域;接着形成一牺牲层覆盖这些突出部和这些位元线区域,该牺牲层具有多个开口;之后在这些开口内形成多个遮蔽结构;最后以这些遮蔽结构为自对准罩幕,选择性地移除部分该牺牲层和该半导体基材,以便在每一位元线区域...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。