技术编号：7008860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括步骤S1提供硅基衬底，并形成浅沟槽隔离；步骤S2形成NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件；步骤S3在NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件之源极区和漏极区进行源漏注入，并沉积氮化硅保护层；步骤S4对NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件进行源漏退火工艺；步骤S5刻蚀除去氮化硅保护层。本发明通过在制备应力记忆效应工艺光刻版时，使上拉晶体管之PMOS器件区域与NMOS器件被覆盖，在应力记忆效应工艺中，上拉晶体管和NMOS器件均被氮化硅保...
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