技术编号:7009346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体结构和制造方法,更特别地涉及制造隔离电容器的方法和所得到的结构。背景技术通过使用SOI (绝缘体上硅)衬底已经大大改善CMOS逻辑器件的性能。而且,通过在逻辑芯片内集成DRAM隔间(compartment)(例如,在SOI上的嵌入式DRAM)实现了 SOI 逻辑芯片的进一步改善。动态随机存取存储器(DRAM)是一种随机存取存储器,其在集成电路内的分开电容器中存储每个数据比特。与SRAM中的六个晶体管相比,DRAM的优势在于它的结构简单性,即...
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