技术编号:7010026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,所述半导体器件的制作方法,至少包括提供第一半导体基片;在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层;在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件,所述三五族半导体器件位于所述三五族化合物层的上表面;在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片;利用衬底剥离的工艺剥离所述第一半导体基片,以露出所述三五族化合物层的下表面;利用离子注入工艺从所述三五族化合物层下表面注入强电负性离子。本发明的技术方案阻断了器件从作为衬底的第一半导体基片漏电的通道...
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