技术编号:7011415
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。包括以下步骤提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次沉积有氧化硅薄膜和氮化硅薄膜作为蚀刻的掩挡层;经过蚀刻后形成一深沟道;沉积氧化硅薄膜以填充整个所述深沟道;刻蚀所述深沟道顶部的氧化硅薄膜以形成浅沟道;沉积多晶硅薄膜以填充所述浅沟道;刻蚀所述多晶硅薄膜,直到所述浅沟道内多晶硅薄膜深度为20~25纳米;在所述多晶硅薄膜上经过离子注入制作源漏极。本发明的技术方案采用N型离子掺杂的硅作为源漏极,并在其下形成一个深的氧化硅的沟道,在闪存制程尤其是在32纳米...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。