技术编号:7011541
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包含设定双电压CMOS晶体管装置的阈值电压(Vt)的半导体装置制作方法。背景技术利用互补金属氧化物半导体(CMOS)制作技术来制作半导体装置通常涉及在单个裸片衬底上形成高电压及低电压操作晶体管。低供应电压晶体管(通常为逻辑或核心晶体管)在芯片内部使用。逻辑晶体管通 常在裸片或芯片(下文称“芯片”)的中心部分中且针对高堆填密度及性能而优化。逻辑晶体管较小且具有薄栅极氧化物层以使低电压下的速度最大化。高供应电压晶体管通常用干与外部装置/芯片通信,因此...
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