技术编号:7014561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于消除具有掺杂等离子体的钉扎层的像素中的滞后的工艺及其设备。本发明涉及一种工艺的实施例,所述工艺包含在衬底的表面上在光敏区域上方、转移栅极上表面上方及至少所述转移栅极最靠近所述光敏区域的侧壁上方沉积牺牲层,所述牺牲层具有选定的厚度。光致抗蚀剂层被沉积在所述牺牲层上方,所述光致抗蚀剂层经图案化及蚀刻以在所述光敏区域及所述转移栅极上表面的至少一部分上方暴露所述衬底的所述表面,从而在所述转移栅极最靠近所述光敏区域的所述侧壁上留下牺牲间隔片。所述衬...
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