技术编号:7014998
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种非易失性半导体存储器件,包括半导体区;在所述半导体区上的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上的电荷存储层;在所述电荷存储层上的第一氧化铪层;以及在所述第一氧化铪层上的、包含氧化硅和氮氧化硅中的至少一个的第二绝缘层;在所述第二绝缘层上的第二氧化铪层;在所述第二氧化铪层上的、包含Ta的第一层;以及在所述第一层上的、包含W的第二层。专利说明非易失性半导体存储器件[0001]本申请是申请号为200810161780.2、申请日为2008年9月26日、发明名称为“非易...
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