技术编号:7015426
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种多晶硅TFT器件及其制造方法,其中多晶硅TFT器件包括交错排列的扫描线和数据线;与所述扫描线和数据线电连接的半导体层;以及与所述半导体层电连接的像素电极;所述半导体层自其与所述数据线的连接点至其与所述像素电极的连接点,形成依次间隔设置的多个通道区和掺杂区,所述通道区为所述半导体层与扫描线相交重叠的部分,其余部分为掺杂区,至少一个所述掺杂区的宽度为0.5-3um,离子掺杂浓度为2*E11~5*E15。本发明将半导体层设计为弯折图案,依次与扫描线...
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