技术编号:7015539
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种肖特基势垒二极管和制造肖特基势垒二极管的方法。二极管包括设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上并且具有上表面、下表面、以及连接上表面和下表面的倾斜面的n-型外延层。p区设置在n-型外延层的倾斜面上并且肖特基电极设置在n-型外延层的上表面和p区上。此外,欧姆电极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。专利说明[0001]相关申请的引用[0002]本申请要求于2013年9月10日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2013-0108479的优先权...
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