技术编号：7015860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种。该方法具备在第1导电类型的半导体层形成沟槽的工序；形成覆盖沟槽的内表面的第1绝缘膜的工序；在第1绝缘膜上形成第1导电材料以埋入沟槽内的工序；蚀刻第1导电材料以使第1导电材料整体位于沟槽内的工序；蚀刻第1绝缘膜，以在沟槽的上部内表面使半导体层露出，使第1导电材料的上端部相比于第1绝缘膜的上端部更位于上侧的工序；在对第1绝缘膜进行蚀刻之后，再蚀刻第1导电材料以使第1绝缘膜的上端部相比于第1导电材料的上端部更位于上侧的工序；形成对在沟槽的上部内表...
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