技术编号:7015864
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,该双沟渠式MOS整流组件的结构包含多个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-外延层内,多个主沟渠各相距一平台单位,内具有主沟渠氧化层形成于主沟渠底部及侧壁并有导电的第一多晶硅层填于其中以形成沟渠金属氧化物半导体结构;此外,多个凹陷区于平台中,凹陷区内包含MOS结构,由导电的第二多晶硅层/副沟渠栅极氧化层/n-外延层组成,多个p型本体(离子注入区)注入于凹陷区MOS结构的两侧;一顶部金属层毯覆式覆盖于包括该些多晶硅层、p型离子注入区的...
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