技术编号:7016167
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,包括如下步骤提供一衬底,所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层表面的一用于制造器件的顶层半导体层;在所述顶层半导体层表面制作一第一金属电极及生长一栅介质薄膜;在所述栅介质薄膜表面制作一第二金属电极及第三金属电极,所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于所述第三金属电极的面积;在所述第一金属电极与所述第三金属电极上施加电压,进行电流-电压测试,以得到所述栅介质的漏电流;在所述第二金属电极与第三金属电极上施加电压,进行电容-电压测试,...
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