技术编号:7016171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管,所述高压晶体管制作在带有绝缘层的半导体衬底的表面,所述半导体衬底包括支撑衬底、支撑衬底表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层,所述高压晶体管形成在器件层的表面,所述支撑衬底中包括一辅助耗尽层,所述辅助耗尽层由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成。本发明的优点在于,通过在支撑衬底中设置由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成的辅助耗尽层,可以有效地抑制衬底辅助耗尽效应,提高器件耐压能力。专利说...
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