技术编号:7016239
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。一种半导体器件包括晶体管,晶体管被形成在具有第一主表面的半导体衬底中。晶体管包括沟道区,被掺杂为具有第一导电类型的掺杂剂;源极区,漏极区,源极和漏极区被掺杂为具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂;漏极延伸区和邻近沟道区的栅极电极。沟道区被设置在脊的第一部分中。漏极延伸区被设置在脊的第二部分中,并且包括被掺杂为具有第一导电类型的芯部。漏极延伸区进一步包括被掺杂为具有第二导电类型的覆盖部分,覆盖部分邻近脊的第二部分的至少一个或两个侧壁。专利...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。