技术编号:7016343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种。该方法包括步骤A,在衬底上外延半极性GaN模板层;步骤B,在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层;步骤C,在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层;以及步骤D,在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力,实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。专利说明[0001]本发明涉及半导体材料生长,尤其涉及一种。背景技术[0...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。