技术编号:7016519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种。根据本发明的半导体器件包括n+型碳化硅衬底;设置在该n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一p型柱状区和n-型外延层;依次设置在n-型外延层上的p型外延层和n+区;贯穿n+区和p型外延层且设置在n-型外延层上的沟槽;设置在该沟槽内的栅极绝缘膜;设置在该栅极绝缘膜上的栅极;设置在该栅极上的氧化膜;设置在该p型外延层、n+区和氧化膜上的源极;以及位于n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极,其中第一p型柱状区设置在n-型外延层内,并且第一P型柱状区设置在沟...
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