技术编号:7016895
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种BE结集成电阻的改进型槽型联栅晶体管,包括集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层、N-导电材料层、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极,所述集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层以及N-导电材料层依次相连,所述N-导电材料层上设有两个注有B的槽型栅极,所述栅极之间设有注有B的基区,栅极和基区通过扩散后连成一体,栅极和基区上面设有氧化层,基区和氧化层上开有发射极,同时氧化层上淀积有多晶硅层,多晶硅层通过离子注入As/P形成导电层。本实用新型热稳...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。