技术编号：7018827
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高低结多子电导调制功率MOSFET器件是在常规功率MOSFET的P-基区与N-漂移区之间插入一个掺杂浓度比N-区高得多之N层的改进型功率MOSFET器件。这N层与N-层构成具有多子注入功能的N/N-高低结。器件处于开态时，漏极电压恰好给该高低结施加正偏，它驱使静态时在N-区形成的电子积累层中的高密度电子和N层中的高密度电子同时向低掺杂浓度的N-漂移区注入，实现对N-漂移区的多子电导调制，降低中、高压功率MOSFET的导通电阻。采用窄元胞间距结构能够避免因插...
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