技术编号:7024834
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于高功率开关的半导体器件及制造这种半导体器件的方法,并且具体地涉及一种使用氮化物基半导体之中的GaN基半导体的半导体器件和制造这种半导体器件的方法。背景技术高反向击穿电压和低导通电阻是对高电流开关器件的要求。例如,在高击穿电压和高温工作方面,使用III族氮化物基半导体的场效应晶体管(FET)是优良的,因为它们的宽带隙。因此,作为控制高功率的晶体管,使用GaN基半导体的垂直晶体管特别受到了人们的关注。例如,PTL I和PTL 2提出了一种垂直...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。