技术编号:7029396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请案涉及一种垂直DMOS场效晶体管(FET)。背景技术与集成电路中的 横向晶体管相比,功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)通常用以处置高功率电平。图5展示典型M0SFET,其使用垂直扩散MOSFET结构,也称为双扩散 MOSFET 结构(DM0S 或 VDM0S)。如(例如)图5中所示,在N+衬底415上,形成有N-外延层,其厚度及掺杂通常确定装置的电压额定值。从顶部到外延层410内,形成有由P掺杂区域420包围的N+掺杂的左及右源极区域43...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。