技术编号:7029416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种功率器件,具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极,P型掺杂层,N型掺杂层,以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底,场氧化层以及钝化保护层结构,其阳极为低浓度P型掺杂区,阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区,并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本实用新型通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差,减少P型掺杂区域注入的空穴总量,从而整体...
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