技术编号:7031557
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种垂直磁化型。背景技术对于利用电阻根据磁场发生变化的“磁阻效应”的穿隧磁阻元件(TMR,tunnelingmagnetoresistive),在磁阻随机存取存储器(MRAM, magnetoresistive random accessmemory)或磁传感器等领域正在进行研究开发。穿隧磁阻元件为绝缘层(穿隧势鱼层)夹持在两个磁性层之间的结构,磁性层之间的电流(穿隧电流)根据各磁性层的磁化方向的不同而变化。磁性层的磁化方向垂直于层压方向的穿隧磁...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。