技术编号:7033758
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件制造,具体涉及ー种半导体器件的制备方法,特别涉及一种栅控ニ极管半导体器件的制备方法。背景技术金属-氧化物-硅场效应晶体管(MOSFET)是ー种可以广泛使用在模拟电路与数字电路中的场效晶体管,其基本结构如图1所示,它包括一个硅衬底101以及在硅衬底101之上形成的栅极绝缘层104和栅极导电层105,在衬底101内所述栅极的两侧形成有漏区102 和源区103。当一个足够大的电位差施加于MOSFET的栅极与源极之间吋,电场会在栅极绝缘层下方的...
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