技术编号:7038823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据该氮化物半导体器件的电极构造,欧姆电极(111、112)从氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)起不与AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)接触地形成至绝缘膜(107)的表面(107C),绝缘膜(107)覆盖AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)。因此,在通过干式蚀刻形成欧姆电极(111、112)时,能够利用绝缘膜(107)保护AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)。专利说明氮化物半导体器件的电极构造及其制造方法以及氮化...
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