技术编号:7039215
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构。本发明也涉及一种分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端的制造方法。背景技术在20世纪九十年代,功率沟槽MOS场效应晶体管(Power Trench M0SFET)的发展和工业化技术的主要研究方向,主要在最小化低压功率器件的正向导通电阻(Ron)。今天,功率沟槽MOS器件的结构已经适用于大多数功率MOSFET的应用中,并且器件的特性不断地接近硅材料的一维限制(表述了器件漂移区特征导通电阻和关断态时击穿电压的理...
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