技术编号：7039405
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提供一种硅光伏结装置的氢化方法，硅光伏结装置包括形成至少一个p-n结的p-型硅半导体材料和n-型硅半导体材料。方法包括i)确保氢必须从其扩散通过的任何硅表面磷扩散层具有1x1020原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度以及氢必须从其扩散通过的硅表面硼扩散层具有1x1019原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度；ii)提供装置的每个表面能获取的一个或多个氢源；以及iii)将所述装置或所述装置的局部区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射装置的全部的至少一些和/或...
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