技术编号：7040741
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。实施方式的半导体器件，包括第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第一侧面和第一底部，在内部具有第一空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第一侧面朝着第一空洞部降低；以及第二导电类型的第三半导体层，以使第一半导体层位于第三半导体层与第二半导体层之间的方式设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第二侧面和第二底部，在内部具有第二空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第二侧面朝着第二空洞部降低。专利说明半...
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