技术编号:7041408
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。。公开了一种用于产生半导体器件的方法。该方法包括提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体主体,产生具有底部和侧壁并从第一表面扩展至半导体主体中的第一沟槽,沿着沟槽的至少一个侧壁形成电介质层,并用填充材料来填充沟槽。形成电介质层包括在至少一个侧壁上形成保护层,使得该保护层留下至少一个侧壁的一区段未被覆盖,将未被覆盖的侧壁区段的区域中的半导体主体氧化以形成电介质层的第一区段,去除保护层,并在至少一个侧壁上形成电介质层的第二区段。专利说明[0001]本...
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