技术编号:7041956
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,该方法采用电子束在真空中对夹层式(三明治型)二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火。所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]-X-[Mg/B]结构先驱膜,X代表标准导体层N或绝缘层I,在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应,最终生成MgB2-X-MgB2结构的SNS型或SIS型二硼化镁超导约瑟夫森结,S代表超导层。专利说明[0001]本发明涉及一种超导薄膜约瑟夫森结的制备方法。背景技术[0002]Joseph...
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