技术编号：7042012
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。首先提供具有至少一个晶体管的基板。形成第一绝缘层以覆盖晶体管。图案化第一绝缘层以形成至少一个开口，其中晶体管的一部分由开口暴露出来。最后，在开口内形成外延以覆盖晶体管的该部分。本发明能够在半导体装置的尺寸微缩的情况下，改善半导体装置内晶体管容易发生的短通道效应。更重要的是，相邻晶体管之间的短路风险可被完全免除。专利说明 [0001]本发明涉及一种电子装置及其制造方法，且特别涉及一种。 背景技术 [0002]在各种半导体存储器装置...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。