技术编号:7043190
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体装置包括在衬底上方沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列的存储器基元晶体管的块、在所述块的第一端沿所述第一方向排列的多个第一选择晶体管、在所述块的第二端沿所述第一方向排列的多个第二选择晶体管、覆盖所述第一选择晶体管的源极的第一氮化硅层、覆盖所述第二选择晶体管的漏极的第二氮化硅层、连接所述第一选择晶体管的源极和源极线的第一接触、以及连接一个所述第二选择晶体管的漏极和一条位线的第二接触。所述第二选择晶体管的漏电极之上的所述第二氮化硅层的厚度小于...
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