技术编号:7043737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。这里描述的实施例一般地涉及。背景技术使用氮化物半导体的作为半导体发光器件的发光二极管(LED)已被用于显示装置、照明及类似领域。使用氮化物半导体的电子器件已被用于高频器件和高功率器件。当在具有极佳规模化生产率的硅(Si)衬底上形成这样的氮化物半导体器件时,因为晶格常数或热膨胀系数的不同,极易产生缺陷和开裂。需要一种在硅衬底上生产高质量晶体的技术。特别是试图在硅衬底上形成厚n-型GaN层时,倾向于产生裂纹。发明内容一般地,根据一个实施例,一种氮化物半导体器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。