技术编号:7044056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了。包括在基板上形成层间绝缘层,该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽;沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层;在第二导电层上形成掩模图案,该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层(BARC);以及利用掩模图案除去第一导电层。专利说明 [0001] 本发明构思的实施例涉及。 背景技术 [0002]近年来,在用于改善半导体器件的特性的尝试中,用多晶硅栅极代替金属栅极变 得普遍。在某些应用中,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。