技术编号:7045031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。该化合物半导体器件的实施方案包括衬底;在衬底之上的氮化物的化合物半导体堆叠结构;覆盖化合物半导体堆叠结构的钝化膜;在化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极;以及含Si-C键并且包含源电极与漏电极之间的部分的含Si-C键的膜。该部分与化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分或者钝化膜的上表面的至少一部分接触。本发明还涉及包括所述化合物半导体器件的一种电源设备和一种放大器。专利说明 [0001] 本文中所讨论的实施方案涉...
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